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DMN3110S
2.4
2
10
8
1.6
6
T A = 25 ? C
1.2
4
0.8
0.4
2
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1000
f = 1MHz
10000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
C ISS
1000
T A =150°C
T A =125°C
100
100
C OSS
10
T A =85°C
C RSS
1
T A =-55°C
T A =25°C
10
0
5
10
15
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25
30
0.1
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
10
8
6
4
2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
0
0
2 4 6 8
10
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMN3110S
Document number: DS31561 Rev. 3 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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